Číslo produktu výrobce:
FQA11N90C-F109
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA11N90C-F109-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12847816
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA11N90C-F109 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
FQA11N90CF109
2156-FQA11N90C-F109-OS
FQA11N90C_F109-DG
ONSFSCFQA11N90C-F109
FQA11N90C_F109
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDPF14N30
MOSFET N-CH 300V 14A TO220F
NVMFS5C680NLT1G
MOSFET N-CH 60V 8.1A/21A 5DFN
FQPF10N60CT
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
