Číslo produktu výrobce:
FQA11N90C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA11N90C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12848305
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA11N90C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
300W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA1
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Další jména
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW7NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
86
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW7NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.75
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFPF50PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
466
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFPF50PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.01
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
