FQA12N60
Číslo produktu výrobce:

FQA12N60

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQA12N60-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 12A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventář:

12923811
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQA12N60 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
700mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
240W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA1

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
30

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
microsemi

JAN2N6802

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO39

microsemi

JANTX2N6762

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO204AA

vishay-siliconix

IRF9Z34PBF

MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB

microsemi

JAN2N6796U

MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC