Číslo produktu výrobce:
FQA13N50CF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA13N50CF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 15A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12837831
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA13N50CF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
480mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2055 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
218W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA13
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
450
Další jména
488-FQA13N50CF
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
TK39J60W,S1VQ
VÝROBCE
Toshiba Semiconductor and Storage
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
22
DiGi ČÍSLO DÍLU
TK39J60W,S1VQ-DG
CENY ZA JEDNOTKU
5.38
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS015N04B
MOSFET N-CH 40V 31.3A/100A 8PQFN
FDD86580-F085
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
HUFA75333S3ST
MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
