Číslo produktu výrobce:
FQA22P10
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA22P10-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 24A TO3PN
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventář:
12837564
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA22P10 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PN
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA2
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS7556S
MOSFET N-CH 25V 35A/49A 8PQFN
HUFA76639P3
MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3
FDD068AN03L
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
