Číslo produktu výrobce:
FQA24N50F_F109
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA24N50F_F109-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 24A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12838567
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA24N50F_F109 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
FRFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
200mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
290W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA2
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FDA24N50F
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
30
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDA24N50F-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.87
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS8880
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
FQP32N20C_F080
MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
FCU3400N80Z
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK