Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQA28N50
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA28N50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 28.4A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 28.4A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
Poptejte online
12846261
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA28N50 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
28.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
160mOhm @ 14.2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
310W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA2
Technický list a dokumenty
Technické listy
FQA28N50
HTML Datový list
FQA28N50-DG
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STW28NM50N
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
144
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW28NM50N-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.81
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STW26NM50
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
364
DiGi ČÍSLO DÍLU
STW26NM50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
6.36
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDA28N50
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
53
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDA28N50-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.12
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOT430
MOSFET N-CH 75V 80A TO220
AOY516
MOSFET N-CH 30V 46A TO251B
FQD4P25TM
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
HUFA75852G3
MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3