Číslo produktu výrobce:
FQA44N10
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQA44N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 48A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventář:
12836554
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQA44N10 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
48A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
39mOhm @ 24A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
180W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3P
Balení / pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základní číslo výrobku
FQA4
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
30
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E
VÝROBCE
Renesas Electronics Corporation
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5608
DiGi ČÍSLO DÍLU
2SK1317-E-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTQ75N10P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTQ75N10P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.44
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FDP3682
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7136
DiGi ČÍSLO DÍLU
FDP3682-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.75
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD7N30TM
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
HUF75321P3
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-3
HUF75842S3ST
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
