Číslo produktu výrobce:
FQAF33N10
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQAF33N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventář:
12847374
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQAF33N10 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PF
Balení / pouzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQAF3
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
360
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFP140NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP140NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FCMT125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
FDMC7660
MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33
FCPF20N60TYDTU
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3
