FQAF33N10
Číslo produktu výrobce:

FQAF33N10

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQAF33N10-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 25.8A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 25.8A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventář:

12847374
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQAF33N10 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
25.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 12.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
83W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-3PF
Balení / pouzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQAF3

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
360

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRFP140NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFP140NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FCMT125N65S3

MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN

onsemi

FDMC7660

MOSFET N-CH 30V 20A/40A POWER33

onsemi

FCPF20N60TYDTU

MOSFET N-CH 600V 20A TO220F-3

onsemi

FDB6670AL

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB