Číslo produktu výrobce:
FQB12P20TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB12P20TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12848729
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB12P20TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
470mOhm @ 5.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB12P20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB12P20TMDKR
FQB12P20TMCT
2156-FQB12P20TM-OS
ONSONSFQB12P20TM
FQB12P20TM-DG
FQB12P20TMTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF9640STRRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
6065
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9640STRRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.42
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
AOTF18N65
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
