Číslo produktu výrobce:
FQB17P10TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB17P10TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12840738
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB17P10TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
190mOhm @ 8.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB1
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IXTA18P10T
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTA18P10T-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.63
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NTMFS4823NT3G
MOSFET N-CH 30V 6.9A/30A 5DFN
NVTFS5824NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN
NVMFS6H864NWFT1G
MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
