Číslo produktu výrobce:
FQB19N20CTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB19N20CTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 3.13W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12836909
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB19N20CTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.13W (Ta), 139W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB19N20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB19N20CTMTR
FQB19N20CTMDKR
FQB19N20CTM-DG
FQB19N20CTMCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RCJ160N20TL
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1000
DiGi ČÍSLO DÍLU
RCJ160N20TL-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FCB125N65S3
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
800
DiGi ČÍSLO DÍLU
FCB125N65S3-DG
CENY ZA JEDNOTKU
2.13
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
FQB13N06TM
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
FDMS8690
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
2SJ656
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
