Číslo produktu výrobce:
FQB27P06TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB27P06TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
14 Ks Nový Originál Skladem
12850316
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB27P06TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
27A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
70mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB27
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB27P06TMDKR
FQB27P06TMTR
FQB27P06TMCT
FQB27P06TM-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDS7079ZN3
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO
AO6404
MOSFET N-CH 20V 8.6A 6TSOP
AOB20C60
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
