FQB5P10TM
Číslo produktu výrobce:

FQB5P10TM

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQB5P10TM-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 4.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 4.5A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventář:

12846692
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQB5P10TM Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.05Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB5

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
800

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativní modely

ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF6215STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF6215STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.54
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDBL86563-F085

MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF

onsemi

FQP4P40

MOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3

onsemi

FCD3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK

onsemi

FQI3P50TU

MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK