Číslo produktu výrobce:
FQB6N60TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB6N60TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12839168
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB6N60TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
600 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB6
Další informace
Standardní balíček
800
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB8NM60D
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2874
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB8NM60D-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.83
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFBC30ASTRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
579
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFBC30ASTRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4369
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB4NK60ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
