Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQB6N80TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB6N80TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
Poptejte online
12835885
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB6N80TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.95Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.13W (Ta), 158W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB6N80
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQB6N80
Technické listy
FQB6N80TM
HTML Datový list
FQB6N80TM-DG
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB6N80TM-DG
FQB6N80TMTR
FQB6N80TMDKR
FQB6N80TMCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STB7NK80ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4410
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB7NK80ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB9NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB9NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.92
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STB6NK90ZT4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
STB6NK90ZT4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FQB4N80TM
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
720
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQB4N80TM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.90
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
2SK4198LS
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FI
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
2V7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
2SK3747
MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PML