Číslo produktu výrobce:
FQB8N90CTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB8N90CTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12838968
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB8N90CTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
171W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB8N90
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB8N90CTMTR
FQB8N90CTMDKR
FQB8N90CTMCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQH90N15
MOSFET N-CH 150V 90A TO247-3
FQPF6N70
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO220F
ECH8320-TL-H
MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
