Číslo produktu výrobce:
FQB9P25TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQB9P25TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
12838031
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQB9P25TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
FQB9
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRF9640STRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5539
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF9640STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.92
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7933
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF5210STRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.26
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK