Číslo produktu výrobce:
FQD13N06TF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD13N06TF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12839362
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD13N06TF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
140mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD1
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRLR024TRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5762
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLR024TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.42
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
NVD3055-150T4G-VF01
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
NVD3055-150T4G-VF01-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.24
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
FDBL86363-F085
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
FQP9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
