FQD17P06TM
Číslo produktu výrobce:

FQD17P06TM

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQD17P06TM-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventář:

26225 Ks Nový Originál Skladem
12849003
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQD17P06TM Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
135mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD17P06

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
2,500
Další jména
FQD17P06TMCT
FQD17P06TMDKR
FQD17P06TMTR
FQD17P06TM-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

FDN352AP

MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3

onsemi

FQP58N08

MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3

onsemi

FDT434P

MOSFET P-CH 20V 6A SOT223-4

alpha-and-omega-semiconductor

AO4404B

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC