Číslo produktu výrobce:
FQD19N10LTM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD19N10LTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
9224 Ks Nový Originál Skladem
12848929
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD19N10LTM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD19N10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
AOD4132
MOSFET N-CH 30V 85A TO252
FCH041N65EF-F155
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
BSO200N03S
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
