Číslo produktu výrobce:
FQD1P50TF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD1P50TF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 500 V 1.2A (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12839301
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD1P50TF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
500 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10.5Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD1
Další informace
Standardní balíček
2,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDB7030BL
MOSFET N-CH 30V 60A TO263AB
FDMS4D4N08C
MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
FDBL86210-F085
MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
