Číslo produktu výrobce:
FQD2N80TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD2N80TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12839819
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD2N80TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD2N80
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FQD2N80TMDKR
FQD2N80TMCT
FQD2N80TMTR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STD7NM80
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
4929
DiGi ČÍSLO DÍLU
STD7NM80-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.69
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF7P20
MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F
FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
NVD6416ANLT4G-001-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
