Číslo produktu výrobce:
FQD4P25TF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD4P25TF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12850408
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD4P25TF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.1Ohm @ 1.55A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD4
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
2,000
Další jména
Q1585607A
FQD4P25TF-NDR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQPF10N60C_F105
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F
FDD6670AS
MOSFET N-CH 30V 76A TO252
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
