Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQD8P10TM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQD8P10TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
1680 Ks Nový Originál Skladem
12835976
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQD8P10TM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
FQD8P10
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQD8P10, FQU8P10
Technické listy
FQD8P10TM
HTML Datový list
FQD8P10TM-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
FQD8P10TMTR
FQD8P10TMDKR
FQD8P10TMCT
FQD8P10TM-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFR9120TRLPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5380
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR9120TRLPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.56
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMP10H400SK3-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
83919
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMP10H400SK3-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.20
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FQD8P10TM-F085
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
8244
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQD8P10TM-F085-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
IRFR9120PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3925
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR9120PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFR9120TRPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9330
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFR9120TRPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.48
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDP3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO220-3
IRL530A
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-3
FDG327NZ
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88
FQD7N30TF
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK