Číslo produktu výrobce:
FQP11N40C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP11N40C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 10.5A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
1566 Ks Nový Originál Skladem
12847847
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP11N40C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
400 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
530mOhm @ 5.25A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
135W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP11
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FQP11N40C-OS
FQP11N40CFS
ONSONSFQP11N40C
FQP11N40C-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQI4N80TU
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
AOW7S60
MOSFET N-CH 600V 7A TO262
FQPF30N06
MOSFET N-CH 60V 21A TO220F
