Číslo produktu výrobce:
FQP16N25C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP16N25C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12849572
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP16N25C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
15.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
139W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP1
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
1,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFB4229PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
993
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB4229PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.48
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP17NF25
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2020
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP17NF25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.55
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
RCX120N25
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
RCX120N25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.05
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
FDS9431A-F085
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
