Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQP2N90
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP2N90-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 2.2A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 2.2A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12840020
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP2N90 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
7.2Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
85W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP2
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQP2N90
Technické listy
FQP2N90
HTML Datový list
FQP2N90-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FQP2N90FS
2156-FQP2N90-488
FQP2N90-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
STP3NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
361
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP3NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.77
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP2NK90Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
641
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP2NK90Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.76
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100-DG
CENY ZA JEDNOTKU
3.24
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100P
VÝROBCE
IXYS
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
136
DiGi ČÍSLO DÍLU
IXTP2N100P-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.49
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
FQD2N90TM
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
11464
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQD2N90TM-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.47
Druh náhrady
MFR Recommended
DIGI Certifikace
Související produkty
NTD25P03LT4G
MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
NVMFS6B25NLT1G
MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
FQPF5N60C
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FDFMA2P857
MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET