Číslo produktu výrobce:
FQP4N20L
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP4N20L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 3.8A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12846837
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP4N20L Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.35Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
45W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP4
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
ONSONSFQP4N20L
2156-FQP4N20L-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
NTGS3441T1G
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6TSOP
FQD12N20LTM-F085P
MOSFET N-CH 200V 9A TO252
FQU3N60TU
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
