Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQP8N80C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP8N80C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12851378
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP8N80C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2050 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
178W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP8
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQPF8N80C Datasheet
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FQP8N80C-DG
FQP8N80CFS
2156-FQP8N80C-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
SPP08N80C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1997
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPP08N80C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.00
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
AOT8N80L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
988
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT8N80L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.64
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP7N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
860
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP7N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.98
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP7NK80Z
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
995
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP7NK80Z-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.21
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
SPP04N80C3XKSA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
590
DiGi ČÍSLO DÍLU
SPP04N80C3XKSA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.65
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FCP25N60N-F102
MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
BSC046N02KSGAUMA1
MOSFET N-CH 20V 19A/80A TDSON
FDS4672A
MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
FQNL1N50BBU
MOSFET N-CH 500V 270MA TO92-3