Číslo produktu výrobce:
FQP9N90C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQP9N90C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 8A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
194 Ks Nový Originál Skladem
12836538
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQP9N90C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
900 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.4Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2730 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
205W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
FQP9
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
FAIFSCFQP9N90C
FQP9N90COS
FQP9N90C-DG
FQP9N90CFS-DG
2156-FQP9N90C-OS
FQP9N90CFS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
FDD6796
MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK
FDN5630
MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
