FQPF17P06
Číslo produktu výrobce:

FQPF17P06

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

FQPF17P06-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 12A TO220F
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventář:

12850389
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

FQPF17P06 Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
120mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
VGS (Max)
±25V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
39W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQPF1

Technický list a dokumenty

Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
50

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
alpha-and-omega-semiconductor

AO4266

MOSFET N-CH 60V 10A 8SO

onsemi

FQP34N20L

MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3

onsemi

FDMS8660AS

MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN

onsemi

FDS3672

MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC