Číslo produktu výrobce:
FQPF19N20C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQPF19N20C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 19A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
783 Ks Nový Originál Skladem
12838675
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQPF19N20C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
170mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
43W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQPF19
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
2156-FQPF19N20C-OS
ONSONSFQPF19N20C
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQD5P10TF
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F
HUF76629D3S
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA