Číslo produktu výrobce:
FQPF2N80YDTU
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQPF2N80YDTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Inventář:
2144 Ks Nový Originál Skladem
12848344
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQPF2N80YDTU Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
6.3Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
35W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3 (Y-Forming)
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Základní číslo výrobku
FQPF2
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQPF2N80
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
987
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQPF2N80-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.66
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
IRFIBE20GPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
37
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFIBE20GPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.13
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
BUK963R3-60E,118
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FDMA86265P
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
FQP34N20
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
