Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
FQPF6N80CT
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQPF6N80CT-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 5.5A (Tc) 51W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
Poptejte online
12847976
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQPF6N80CT Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
800 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.5Ohm @ 2.75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1310 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
51W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQPF6
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
FQP(F)6N80C
Technické listy
FQPF6N80CT
HTML Datový list
FQPF6N80CT-DG
Další informace
Standardní balíček
50
Další jména
488-FQPF6N80CT
1990-FQPF6N80CT
FQPF6N80CT-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
FQPF6N80C
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
800
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQPF6N80C-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.17
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STP5NK80ZFP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
943
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP5NK80ZFP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.03
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STF4N80K5
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
766
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF4N80K5-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.68
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
R8005ANX
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
339
DiGi ČÍSLO DÍLU
R8005ANX-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.29
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP4NK80ZFP
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
1826
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP4NK80ZFP-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.87
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
NVMFS5C430NWFAFT3G
MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
FDB8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDM3622
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3