Číslo produktu výrobce:
FQPF9N25C
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQPF9N25C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventář:
12847336
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQPF9N25C Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
250 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
430mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
38W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220F-3
Balení / pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Základní číslo výrobku
FQPF9
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Not Applicable
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
RCX100N25
VÝROBCE
Rohm Semiconductor
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
429
DiGi ČÍSLO DÍLU
RCX100N25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
Direct
ČÍSLO DÍLU
FQPF27N25
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
315
DiGi ČÍSLO DÍLU
FQPF27N25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.38
Druh náhrady
MFR Recommended
ČÍSLO DÍLU
STF16NF25
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
886
DiGi ČÍSLO DÍLU
STF16NF25-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.86
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
AOT66616L
MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220
FQU20N06LTU
MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
FDP5N50NZ
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
