Číslo produktu výrobce:
FQS4410TF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQS4410TF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 30 V 10A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventář:
12850440
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQS4410TF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
30 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1280 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
8-SOIC
Balení / pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základní číslo výrobku
FQS4
Technický list a dokumenty
Technické listy
HTML Datový list
Další informace
Standardní balíček
3,000
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BSO110N03MSGXUMA1
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
7364
DiGi ČÍSLO DÍLU
BSO110N03MSGXUMA1-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.32
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
DMN3016LSS-13
VÝROBCE
Diodes Incorporated
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
14193
DiGi ČÍSLO DÍLU
DMN3016LSS-13-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.14
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FCH165N60E
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
FDB8442-F085
MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
HUF75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
