Číslo produktu výrobce:
FQT3P20TF
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
FQT3P20TF-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 670MA SOT223-4
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 670mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Inventář:
12839041
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
FQT3P20TF Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
670mA (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
2.7Ohm @ 335mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-223-4
Balení / pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo výrobku
FQT3P20
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
4,000
Další jména
FQT3P20TFCT
FQT3P20TFTR
FQT3P20TF-DG
FQT3P20TFDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS86581
MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN
FDFS2P103
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
HUFA75337P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
