Číslo produktu výrobce:
HUF75545S3ST
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
HUF75545S3ST-DG
Popis:
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventář:
6270 Ks Nový Originál Skladem
12850342
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HUF75545S3ST Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
80 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
270W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-263 (D2PAK)
Balení / pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základní číslo výrobku
HUF75545
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
800
Další jména
2156-HUF75545S3ST-OS
HUF75545S3STDKR
HUF75545S3STCT
HUF75545S3STTR
ONSONSHUF75545S3ST
HUF75545S3ST-DG
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS2672
MOSFET N-CH 200V 3.7A/20A 8MLP
FDD5N60NZTM
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
FDMS7676
MOSFET N-CH 30V 16A/28A 8PQFN
