Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
HUF76443P3
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
HUF76443P3-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 75A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
Poptejte online
12851517
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HUF76443P3 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
75A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
129 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4115 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
260W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
HUF76
Další informace
Standardní balíček
400
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
AOT2610L
VÝROBCE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
0
DiGi ČÍSLO DÍLU
AOT2610L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.59
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF1010EZPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
9758
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF1010EZPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.57
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRFB3607PBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
3741
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFB3607PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.41
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
STP60NF06L
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
994
DiGi ČÍSLO DÍLU
STP60NF06L-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.80
Druh náhrady
Similar
ČÍSLO DÍLU
IRF1010NPBF
VÝROBCE
Infineon Technologies
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
5624
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRF1010NPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.57
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FDMS8050
MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
BSC160N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
MVGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
IRFS3006TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK