Číslo produktu výrobce:
HUF76629D3ST
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
HUF76629D3ST-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
17120 Ks Nový Originál Skladem
12839005
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HUF76629D3ST Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1285 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
110W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
HUF76629
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
HUF76629D3STTR
HUF76629D3ST-DG
HUF76629D3STCT
HUF76629D3STDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
FQAF11N40
MOSFET N-CH 400V 8.8A TO3PF
FDS6699S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
AUIRF1404Z
MOSFET N-CH 40V 160A TO220AB
