Číslo produktu výrobce:
HUFA76609D3ST
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
HUFA76609D3ST-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12846354
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
HUFA76609D3ST Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
100 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
4.5V, 10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
425 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
49W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
HUFA76
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
HUFA76609D3STDKR
HUFA76609D3ST-DG
HUFA76609D3STTR
HUFA76609D3STCT
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
BUK7275-100A,118
VÝROBCE
Nexperia USA Inc.
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
68370
DiGi ČÍSLO DÍLU
BUK7275-100A,118-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.40
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
FQP630TSTU
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
AOTF2N60
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F
AO3407
MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3
