Číslo produktu výrobce:
IRFU220BTU_F080
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRFU220BTU_F080-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 4.6A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventář:
12851447
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRFU220BTU_F080 Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
800mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základní číslo výrobku
IRFU2
Další informace
Standardní balíček
70
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRFU220PBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2912
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRFU220PBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.52
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
R6507ENJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
HUF76629D3
MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
