Číslo produktu výrobce:
IRLR210ATM
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRLR210ATM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventář:
12839592
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRLR210ATM Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
1.5Ohm @ 1.35A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
2.5W (Ta), 21W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
TO-252AA
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základní číslo výrobku
IRLR21
Další informace
Standardní balíček
2,500
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
DIGI Certifikace
Související produkty
FDD3672-F085
MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
FDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
