Číslo produktu výrobce:
IRLS630A
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
IRLS630A-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 6.5A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventář:
12839528
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
IRLS630A Technické specifikace
Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
-
Řada
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
200 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
5V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
400mOhm @ 3.25A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
755 pF @ 25 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
36W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček zařízení dodavatele
TO-220-3
Balení / pouzdro
TO-220-3
Základní číslo výrobku
IRLS63
Další informace
Standardní balíček
50
Klasifikace životního prostředí a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
IRLI630GPBF
VÝROBCE
Vishay Siliconix
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
991
DiGi ČÍSLO DÍLU
IRLI630GPBF-DG
CENY ZA JEDNOTKU
1.08
Druh náhrady
Similar
DIGI Certifikace
Související produkty
62-0218PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
2SK302200L
MOSFET N-CH 60V 5A U-G2
HUFA76645P3
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
