MJ11029G
Číslo produktu výrobce:

MJ11029G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MJ11029G-DG

Popis:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 50A, 6
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Inventář:

350 Ks Nový Originál Skladem
12968022
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MJ11029G Technické specifikace

Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Bulk
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP - Darlington
Proud - sběrač (Ic) (Max)
50 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
60 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 500mA, 50A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
2mA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Výkon - Max
300 W
Frekvence - přechod
-
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-204AE
Balíček zařízení dodavatele
TO-204 (TO-3)

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Další informace

Standardní balíček
116
Další jména
2156-MJ11029G-488

Klasifikace životního prostředí a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
Vendor Undefined
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikace
Související produkty
sanyo

2SC3458L

2SC3458 - NPN TRIPLE DIFFUSED PL

fairchild-semiconductor

SS9014CBU

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

renesas-electronics-america

RJP63K2DPK-M2#T0

DISCTRETE / POWER TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PMBT2907A,215

NEXPERIA PMBT2907A - SMALL SIGNA