Číslo produktu výrobce:
MJD112-1G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MJD112-1G-DG
Popis:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Inventář:
153 Ks Nový Originál Skladem
12853107
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
Minimálně 1
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MJD112-1G Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Tube
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
NPN - Darlington
Proud - sběrač (Ic) (Max)
2 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
100 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
20µA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Výkon - Max
1.75 W
Frekvence - přechod
25MHz
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balení / pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Balíček zařízení dodavatele
I-PAK
Základní číslo výrobku
MJD112
Technický list a dokumenty
Další informace
Standardní balíček
75
Další jména
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
