Domů
Produkty
Výrobci
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a příspěvky
Žádost o cenovou nabídku / Nabídka
Czech
Přihlásit se
Výběrový jazyk
Aktuální jazyk dle vašeho výběru:
Czech
Přepnout:
Angličtina
Evropa
Spojené království
Francie
Španělsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Norsko
Německo
Portugalsko
Slovensko
LTALY
Finsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estonsko
Polsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Řečtina
Chorvatsko
Izrael
Srbsko
Bělorusko
Nizozemsko
Švédsko
Černá Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarština
Rumunsko
Rakousko
Belgie
Irsko
Asie / Tichomoří
Čína
Vietnam
Indonésie
Thajsko
Laos
Filipínština
Malajsie
Korea
Japonsko
Hongkong
Tchaj-wan
Singapur
Pákistán
Saúdská Arábie
Katar
Kuvajt
Kambodža
Myanmar
Afrika, Indie a Střední východ
Spojené arabské emiráty
Tádžikistán
Madagaskar
Indie
Írán
DR Kongo
Jihoafrická republika
Egypt
Keňa
Tanzanie
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Jižní Amerika / Oceánie
Nový Zéland
Angola
Brazílie
Mosambik
Peru
Kolumbie
Chile
Venezuela
Ekvádor
Bolívie
Uruguay
Argentina
Paraguay
Austrálie
Severní Amerika
Spojené státy americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikace
DiGi Úvod
Proč DiGi
Politika
Kvalitní politika
Podmínky použití
Soulad s RoHS
Proces vrácení
Zdroje
Kategorie produktů
Výrobci
Blogy a příspěvky
Služby
Záruční doba kvality
Způsob platby
Globální zásilka
Ceny za přepravu
Časté dotazy
Číslo produktu výrobce:
MJD117T4G
Product Overview
Výrobce:
onsemi
Číslo dílu:
MJD117T4G-DG
Popis:
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Inventář:
2150 Ks Nový Originál Skladem
12840750
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
*
Společnost
*
Jméno kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Dodací adresa
Zpráva
(
*
) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat
MJD117T4G Technické specifikace
Kategorie
Bipolární (BJT), Jednotlivé bipolární tranzistory
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistoru
PNP - Darlington
Proud - sběrač (Ic) (Max)
2 A
Napětí - Průraz kolektoru emitoru (Max)
100 V
Vce Sytost (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Proud - Odpojení sběrače (Max)
20µA
Zesílení DC Proudu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Výkon - Max
1.75 W
Frekvence - přechod
25MHz
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balení / pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Balíček zařízení dodavatele
DPAK
Základní číslo výrobku
MJD117
Technický list a dokumenty
Katalogové listy
MJD112,117
Technické listy
MJD117T4G
HTML Datový list
MJD117T4G-DG
Další informace
Standardní balíček
2,500
Další jména
MJD117T4GOSCT
MJD117T4GOS
MJD117T4GOS-DG
ONSONSMJD117T4G
MJD117T4GOSTR
2156-MJD117T4G-OS
MJD117T4GOSDKR
Klasifikace životního prostředí a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativní modely
ČÍSLO DÍLU
NJVMJD117T4G
VÝROBCE
onsemi
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2500
DiGi ČÍSLO DÍLU
NJVMJD117T4G-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.36
Druh náhrady
Parametric Equivalent
ČÍSLO DÍLU
MJD117T4
VÝROBCE
STMicroelectronics
DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ
2233
DiGi ČÍSLO DÍLU
MJD117T4-DG
CENY ZA JEDNOTKU
0.22
Druh náhrady
Direct
DIGI Certifikace
Související produkty
MMBTA06WT1G
TRANS NPN 80V 0.5A SC70-3
MSD601-RT1
TRANS NPN 50V 0.1A SC59
MPSA93RLRMG
TRANS PNP 200V 0.5A TO92
MJF45H11G
TRANS PNP 80V 10A TO220FP