MMBF170LT1G
Číslo produktu výrobce:

MMBF170LT1G

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MMBF170LT1G-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventář:

22573 Ks Nový Originál Skladem
12842007
Žádost o cenovou nabídku
Množství
Minimálně 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin
Odeslat

MMBF170LT1G Technické specifikace

Kategorie
FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy
Výrobce
onsemi
Balení
Tape & Reel (TR)
Řada
-
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)
60 V
Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C
500mA (Ta)
Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)
10V
Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 10 V
Funkce FET
-
Ztrátový výkon (max.)
225mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček zařízení dodavatele
SOT-23-3 (TO-236)
Balení / pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo výrobku
MMBF170

Technický list a dokumenty

Katalogové listy
Technické listy
HTML Datový list

Další informace

Standardní balíček
3,000
Další jména
ONSONSMMBF170LT1G
MMBF170LT1GOSDKR
MMBF170LT1GOS
MMBF170LT1GOSTR
MMBF170LT1GOSCT
2156-MMBF170LT1G-OS
MMBF170LT1GOS-DG

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nařízení REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikace
Související produkty
onsemi

NTMS4404NR2

MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC

panasonic

2SK1374G0L

MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2

onsemi

SI9424DY

MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC

onsemi

NTMS5838NLR2G

MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC