MMSF3P02HDR2

Číslo produktu výrobce:

MMSF3P02HDR2

Product Overview

Výrobce:

onsemi

Číslo dílu:

MMSF3P02HDR2-DG

Popis:

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

Podrobný popis:

P-Channel 20 V 5.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventář:

Poptejte online

12847422

Žádost o cenovou nabídku

Množství
Minimálně 1

(*) je povinné
Ozveme se vám do 24 hodin

Odeslat

MMSF3P02HDR2 Technické specifikace

Kategorie

FETy, MOSFETy, Jednotlivé FETy, MOSFETy

Výrobce

onsemi

Balení

-

Řada

-

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Napětí odtoku ke zdroji (Vdss)

20 V

Proud - trvalý odběr (id) @ 25°C

5.6A (Ta)

Napájecí napětí (max. počet minut zapnutý, minimální počet hodin zapnutý)

4.5V, 10V

Vzdálené plochy zapnuty (maximálně) @ ID, vgs

75mOhm @ 3A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

2V @ 250µA

Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs

46 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1400 pF @ 16 V

Funkce FET

-

Ztrátový výkon (max.)

2.5W (Ta)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček zařízení dodavatele

8-SOIC

Balení / pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Základní číslo výrobku

MMSF3P

Technický list a dokumenty

Katalogové listy

Technické listy

HTML Datový list

MMSF3P02HDR2-DG

Další informace

Standardní balíček

2,500

Další jména

MMSF3P02HDR2OSTR

MMSF3P02HDR2OSCT

Klasifikace životního prostředí a exportu

Stav RoHS

RoHS non-compliant

Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nařízení REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikace

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Související produkty

onsemi

FDAF59N30

MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF

alpha-and-omega-semiconductor

AOT298L

MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220

onsemi

FDMS007N08LC

MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN

onsemi

FDS6694

MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC